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Si3438DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.20
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.16
0.12
0.0 8
I D = 5 A
T J = 125 °C
0.01
0.001
0.04
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
45
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Temperature
0.2
0.0
I D = 5 mA
36
27
- 0.2
1 8
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
9
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
1
10 ms
0.1
100 ms
1s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68393
S09-0766-Rev. B, 04-May-09
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